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共进退,Micron与Nanya合作研发50nm DRAM
2008-03-05 11:10:15 作者:棒棒   来源: PCarm
编者按:
  近日,Micron宣布将与Nanya共同开发50nm或以下的DRAM技术,并计画在往后数个月间针对此合作计画签订合约,此一合作案所象征的意义,将是DRAM技术发展两大阵营堆栈式(Stack)与沟槽式(Trench)的不再分明,而两者的市占率也将随着阵营间的交互合作进而呈现变化。
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  近日,Micron宣布将与Nanya共同开发50nm或以下的DRAM技术,并计画在往后数个月间针对此合作计画签订合约,此一合作案所象征的意义,将是DRAM技术发展两大阵营堆栈式(Stack)与沟槽式(Trench)的不再分明,而两者的市占率也将随着阵营间的交互合作进而呈现变化。

  2008年2月25日全球第二大Qimonda公开宣布技术开发蓝图,除了采用新的BuriedWordline技术及今年进行58nm转进,更进一步指出2009年下半将转进46nm,而其技术更可往30nm及4F2迈进。在Qimonda发表新技术开发蓝图之际,恰巧在Micron与的技术合作开发备忘录公布的前一周,也让市场推测奇梦达的宣示是否隐藏着更深层的意义。

  市调机构DRAMeXchange所公布的2007年营收排行,Nanya与Micron阵营的市占率,与目前南亚与奇梦达的阵营比例并无显著的差别,然而未来在堆垒式与沟槽式阵营的合作模式出现之后,随着此合作的发展,相信其市占率的比率也将会呈现变化。

  在2006年沟槽式阵营的市占率最高达23%,2007年在所有DRAM厂竞相扩厂下,滑落至18%左右而未来若新的合作模式出现,以及堆垒式阵营相互的竞争,沟槽式阵营的市占率有进一步下滑的隐忧。

  目前DRAM产业仍区分为沟槽式及堆栈式两大阵营SamsungElectronics、Hynix、Micron、PoMOS、PSC等,均还是延用堆栈式技术,其余如Qimonda、Nanya与Winbond电则为沟槽式。

 
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